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Regensburg 1998 – scientific programme

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TT: Tiefe Temperaturen

TT 10: Postersitzung I: Ladungseffekte in Einelektronensystemen (1-6), Niedrigdimensionale Systeme (7-17), Transporteigenschaften und Pinning in HTSL (18-30), Symmetrie des Ordnungsparameters in HTSL (31-36), Korrelierte Elektronen: Theorie (37-79)

TT 10.15: Poster

Tuesday, March 24, 1998, 09:30–13:00, A

Elektronischer Transport in diffusiven planaren Nanobrücken mit dreidimensionalen Reservoiren — •J. Digel, H. B. Weber, R. Häußler und H. v. Löhneysen — Physikalisches Institut, Universität Karlsruhe, D-76128 Karlsruhe

Wir berichten über Messungen der elektrischen Leitfähigkeit an planaren Kupferbrücken (Breite 80 nm, Höhe 10 nm) bei tiefen Temperaturen (100 mK ≤ T ≤ 2 K). Die Zuleitungen zu den Brücken konnten durch Einsatz der Schattenbedampfungstechnik wesentlich höher (bis zu einem Faktor 14) als die Brücken strukturiert werden. Durch diese Geometrie wird der Spannungsabfall auf die nanoskopische Brücke begrenzt. Wir untersuchen Leitwertfluktuationen als Funktion des Magnetfelds und der angelegten Spannung sowie die Strom-Spannungs-Kennlinien. Der differentielle Leitwert dI/dU zeigt ein Minimum (dI/dU)0 bei U = 0 und steigt bis zu Spannungen von 2 mV etwa wurzelförmig an. Ebenso steigt (dI/dU)0 proportional zu √ T an. Die beiden alternativen Erklärungsansätze für dieses Phänomen, Zwei-Kanal-Kondo-Effekt und Altshuler-Aronov-Anomalie durch Elektron-Elektron-Wechselwirkungen, werden anhand des Skalenverhaltens von dI/dU verglichen.

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