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TT: Tiefe Temperaturen

TT 10: Postersitzung I: Ladungseffekte in Einelektronensystemen (1-6), Niedrigdimensionale Systeme (7-17), Transporteigenschaften und Pinning in HTSL (18-30), Symmetrie des Ordnungsparameters in HTSL (31-36), Korrelierte Elektronen: Theorie (37-79)

TT 10.37: Poster

Dienstag, 24. März 1998, 09:30–13:00, A

"Anderung der elektronischen Zustandsdichte durch Coulomb-Wechselwirkung — •B. Sandow¹, K. Gloos², R. Rentzsch¹, and A.N. Ionov³ — ¹Institut f"ur Experimentalphysik, Freie Universit"at, Arnimallee 14, D-14195 Berlin — ²Institut f"ur Festk"orperphysik, TU Darmstadt, Hochschulstr.8, D-64289 Darmstadt — ³A.F. Ioffe, Physikalisch-Technisches Institut, St. Petersburg, Ru"sland

Es wurden tunnelspektroskopische Untersuchungen an n - Typ Germanium in einem Temperaturbereich von 100 mk bis 10 K durchgef"uhrt. Die differentielle Leitf"ahigkeit (dI/dU) zeigt in der Umgebung von U=0 eine starke Abh"angigkeit von der Ladungstr"agerkonzentration und der Temperatur. Aus analytischen und nummerischen Modellen ist bekannt, da"s f"ur nichtmetallische ungeordnete Systeme die Zustandsdichte N(E) in der N"ahe der Fermi-Energie eine Anomalie besitzt, die auf die Coulomb-Wechselwirkung der Ladungstr"ager zurueckzuf"uhren ist und als Coulomb Gap bezeichnet wird. Eine Interpretation der experimentellen Ergebnisse mittels der theoretisch Modellvorstellungen ist m"oglich. So finden wir, da"s sich das Coulomb Gap mit steigender Temperatur f"ullt und N(E=0,T) eine potenzf"ormige Abh"angigkeit zeigt.