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TT: Tiefe Temperaturen

TT 10: Postersitzung I: Ladungseffekte in Einelektronensystemen (1-6), Niedrigdimensionale Systeme (7-17), Transporteigenschaften und Pinning in HTSL (18-30), Symmetrie des Ordnungsparameters in HTSL (31-36), Korrelierte Elektronen: Theorie (37-79)

TT 10.48: Poster

Dienstag, 24. März 1998, 09:30–13:00, A

Nichtlokale Selbstenergie im halbunendlichen Hubbard-Modell — •M. Potthoff and W. Nolting — Humboldt-Universit"at zu Berlin, Institut f"ur Physik, Invalidenstr. 110, D-10115 Berlin

Effekte elektronischer Korrelationen an Metalloberfl"achen k"onnen im Rahmen des Hubbard-Modells auf einem dreidimensionalen halbunendlichen Gitter qualitativ untersucht werden. Wir berechnen die elektronische Selbstenergie in Störungstheorie zweiter Ordnung in U sowohl f"ur das Volumen als auch in der N"ahe der Oberfl"ache. Mit einem real-space-Verfahren kann dabei der Nicht-Lokalit"at der Selbstenergie voll Rechnung getragen werden.

Es werden Resultate pr"asentiert f"ur die lagenabh"angigen diagonalen und nicht-diagonalen Elemente der Selbstenergie sowie der Quasiteilchen-Zustandsdichte an den verschiedenen niedrig-indizierten Oberfl"achen eines einfach kubischen Kristalls unter Einbeziehung von N"achst-Nachbar-Hopping bei kleinem U. Die Reduzierung der Koordinationszahl an der Oberfl"ache bewirkt eine Reihe von deutlichen Modifikationen der elektronischen Struktur. Wir arbeiten die typischen Oberfl"acheneffekte und die jeweils zugrundeliegenden Mechanismen heraus. Die Qualit"at der lokalen N"aherung f"ur die Selbstenergie im Falle halbunendlicher Gitter wird diskutiert.

[1] M. Potthoff und W. Nolting, Z. Phys. B 104, 265 (1997)