Regensburg 1998 – scientific programme

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TT: Tiefe Temperaturen

TT 10: Postersitzung I: Ladungseffekte in Einelektronensystemen (1-6), Niedrigdimensionale Systeme (7-17), Transporteigenschaften und Pinning in HTSL (18-30), Symmetrie des Ordnungsparameters in HTSL (31-36), Korrelierte Elektronen: Theorie (37-79)

TT 10.5: Poster

Tuesday, March 24, 1998, 09:30–13:00, A

Einfluß der Herstellungsparameter auf die Eigenschaften von Einzelelektronentransistoren aus Al/Al₂O₃/Al-Strukturen — •B. Limbach¹, A. Sypli¹, C. Wallisser¹, R. Schäfer¹ und H. Hein² — ¹Forschungszentrum Karlsruhe, INFP, Postfach 3640, 76021 Karlsruhe — ²Forschungszentrum Karlsruhe, IMT, Postfach 3640, 76021 Karlsruhe

Zur Messung von Einzelelektronen-Effekten in metallischen Systemen stellen wir Einzelelektronentransistoren durch Al/Al₂O₃/Al-Schattenbedampfungstechnik her. Dabei lassen sich über die Wahl der Geometrie sowie die Variation der Parameter beim Herstellungsprozeß die Eigenschaften der Transistoren verändern.

Da die Widerstände der Tunnelkontakte, die wichtigster Bestandteil eines Einzelelektronentransistors sind, maßgeblich durch die Dicke der Oxidschicht bestimmt werden, untersuchten wir an etwas größeren Kontakten (100 nm×100 nm) den Einfluß des Sauerstoffdruckes beim Oxidationsschritt auf die Entstehung und die Dicke der Oxidschicht und die resultierende Widerstandsabhängigkeit.