Regensburg 1998 – scientific programme

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TT: Tiefe Temperaturen

TT 10: Postersitzung I: Ladungseffekte in Einelektronensystemen (1-6), Niedrigdimensionale Systeme (7-17), Transporteigenschaften und Pinning in HTSL (18-30), Symmetrie des Ordnungsparameters in HTSL (31-36), Korrelierte Elektronen: Theorie (37-79)

TT 10.77: Poster

Tuesday, March 24, 1998, 09:30–13:00, A

Korrelationsinduzierte elektronische Oberflächenzustände — • M. Potthoff und W. Nolting — Humboldt-Universität zu Berlin, Institut für Physik, Invalidenstr. 110, D-10115 Berlin

Können elektronische Korrelationen Oberflächenzustände verursachen? Zur Untersuchung dieser Frage betrachten wir das Hubbard-Modell auf einem halbunendlichen Gitter. Für uniformes Hopping sind bei U=0 keine Oberflächenzustände möglich. Für U↦ ∞ können wir anhand einer strong-coupling-Störungstheorie [1] einen neuen Mechanismus begründen, der (abhängig von k_||) zur Ausbildung von an der Oberfläche lokalisiertem spektralen Gewicht außerhalb des Bulk-Kontinuums führt (korrelationsinduzierter Oberflächenzustand).

Resultate systematischer Rechnungen werden für die niedrigindizierten Oberflächen kubischer Gitter vorgestellt. Im Rahmen der Störungstheorie wird untersucht, welche Umstände (hinsichtlich Oberflächengeometrie, Bandbesetzung und Temperatur) sich als günstig für das Auftreten von korrelationsinduzierten Oberflächenzuständen erweisen. Darüberhinaus ist es möglich, die Bedeutung der Nichtlokalität (k-Abhängigkeit) der Selbstenergie abzuschätzen. Wir überprüfen die Vorhersagen der Störungstheorie durch Rechnungen im Rahmen von dynamischer mean-field-Theorie unter Verwendung der “exact diagonalization”-Methode [2] zur Lösung der lagenabhängigen effektiven Störstellenmodelle.

[1] A. B. Harris und R. V. Lange, Phys. Rev. 157, 295 (1967)

[2] M. Caffarel and W. Krauth, Phys. Rev. Lett. 72, 1545 (1994)