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Regensburg 1998 – scientific programme

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TT: Tiefe Temperaturen

TT 10: Postersitzung I: Ladungseffekte in Einelektronensystemen (1-6), Niedrigdimensionale Systeme (7-17), Transporteigenschaften und Pinning in HTSL (18-30), Symmetrie des Ordnungsparameters in HTSL (31-36), Korrelierte Elektronen: Theorie (37-79)

TT 10.9: Poster

Tuesday, March 24, 1998, 09:30–13:00, A

Universelle Leitwertfluktuationen in Nanometerdrähten — •P. vom Stein1, C. Wallisser1, R. Schäfer1 und H. Hein21Forschungszentrum Karlsruhe, INFP, Postfach 3640, 76021 Karlsruhe — 2Forschungszentrum Karlsruhe, IMT, Postfach 3640, 76021 Karlsruhe

Wir berichten über die Herstellung von Nanodrähten aus Edelmetallen und über Messungen von Leitwertfluktuationen im Magnetfeld bei T∼ 30 mK. Auf die mittels Elektronenstrahllitographie hergestellten Nanometermasken werden die Metalle bei tiefen Temperaturen (T∼ 10 K) abschreckend kondensiert. Da die mesoskopischen Strukturen durch Oxidationsprozesse geschädigt werden können, wird eine Passivierung der Strukturen durch Aufbringen einer Schutzschicht (z. B. aus GeO2) vorgenommen. Bei gleichbleibender lateraler Geometrie wird die Dicke der aufgedampften Metallschichten und damit der Flächenleitwert und der Leitwert des mesoskopischen Drahts variiert. Wir untersuchen die Abhängigkeit der rms-Amplitude und des Korrelationsfeldes der Leitwertfluktuationen von der Dicke der Metallschicht und von der aufgebrachten Schutzschicht.

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