Regensburg 1998 – scientific programme

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TT: Tiefe Temperaturen

TT 10: Postersitzung I: Ladungseffekte in Einelektronensystemen (1-6), Niedrigdimensionale Systeme (7-17), Transporteigenschaften und Pinning in HTSL (18-30), Symmetrie des Ordnungsparameters in HTSL (31-36), Korrelierte Elektronen: Theorie (37-79)

TT 10.9: Poster

Tuesday, March 24, 1998, 09:30–13:00, A

Universelle Leitwertfluktuationen in Nanometerdrähten — •P. vom Stein¹, C. Wallisser¹, R. Schäfer¹ und H. Hein² — ¹Forschungszentrum Karlsruhe, INFP, Postfach 3640, 76021 Karlsruhe — ²Forschungszentrum Karlsruhe, IMT, Postfach 3640, 76021 Karlsruhe

Wir berichten über die Herstellung von Nanodrähten aus Edelmetallen und über Messungen von Leitwertfluktuationen im Magnetfeld bei T∼ 30 mK. Auf die mittels Elektronenstrahllitographie hergestellten Nanometermasken werden die Metalle bei tiefen Temperaturen (T∼ 10 K) abschreckend kondensiert. Da die mesoskopischen Strukturen durch Oxidationsprozesse geschädigt werden können, wird eine Passivierung der Strukturen durch Aufbringen einer Schutzschicht (z. B. aus GeO₂) vorgenommen. Bei gleichbleibender lateraler Geometrie wird die Dicke der aufgedampften Metallschichten und damit der Flächenleitwert und der Leitwert des mesoskopischen Drahts variiert. Wir untersuchen die Abhängigkeit der rms-Amplitude und des Korrelationsfeldes der Leitwertfluktuationen von der Dicke der Metallschicht und von der aufgebrachten Schutzschicht.