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TT: Tiefe Temperaturen
TT 15: Postersitzung II: Massive HTSL (1-12), Supraleitung: Anwendungen (13-34), Josephsonkontakte und Kryoelektronik (35-75), Elektronenstruktur und Phononen in HTSL (76-79), Schwere Fermionen, Kondo-Systeme (80-99)
TT 15.66: Poster
Mittwoch, 25. März 1998, 15:00–18:30, D
Laterale Strukturierung von III-V-Halbleitern mit einem CH4/H2-Plasmaätzverfahren — •S. Muhlack1, T. Matsuyama1, U. Merkt1 und K. Eberl2 — 1Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Universität Hamburg, Jungiusstraße 11, D-20355 Hamburg — 2Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Heisenbergstraße 1, D-70569 Stuttgart
Wir stellen Möglichkeiten für die laterale Strukturierung der III-V-Halbleiter InAs, GaAs und InP in einer Reaktiv-Ionen-Ätzanlage mit einem CH4/H2-Plasma vor. Mit einer Photolackmaske und unterschiedlichen Parametern des CH4/H2-Plasmas können wir reproduzierbar Kanten von 50 - 86 ∘ Steilheit herstellen, wie Rasterkraft- und Rasterelektronenmikroskopie zeigen. Durch die Verwendung einer Titanmaske ist es möglich, die Anlagerung redeponierten Materials an den Fotolackwänden zu vermeiden. Mit dem oben genannten Verfahren wurde ein Hallbar auf einer 1µ m dicken InAs-Epitaxieschicht auf einem GaAs-Substrat strukturiert. Durch die Aufbringung eines Oxides (PECVD) auf die Epitaxieschicht wurde auch eine MOSFET-Struktur verwirklicht, bei der die Titanmaske gleichzeitig als Gateelektrode dient. Wir stellen die Ergebnisse der Transportmessungen vor.