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TT: Tiefe Temperaturen

TT 21: Postersitzung III: Spin-Peierls-Systeme, Metall-Isolator-Übergang, Lokalisierung; SL: Theorie; Quantenflüssigkeiten und -kristalle; Amorphe Materialien, Tunnelsysteme; Borcarbide, Fullerene, konventionelle SL; SL dünner Filme; Experimentiertechniken

TT 21.53: Poster

Donnerstag, 26. März 1998, 15:00–18:30, D

Einfluß der Oberflächenbeschaffenheit auf das Benetzungsverhalten von Helium auf Cäsiumsubstraten
— •D. Reinelt, A. Engel, J. Klier, and P. Leiderer —
Universität Konstanz, Fakultät für Physik, Postfach 5560 M675,D–78434 Konstanz

Die Oberflächen der Alkalimetalle Cs und Rb sind die einzigen, von denen sowohl experimentell als auch theoretisch bekannt ist, daß sie von ⁴He nicht benetzt werden. Das Benetzungsverhalten wird durch deren sehr geringe Austrittsarbeit, aber auch durch deren Struktur bestimmt.
Simultane Charakterisierung der Oberflächenbeschaffenheit und Messung der Benetzungseigenschaften sind daher Voraussetzung zum Verständnis des Benetzungsverhaltens solcher Oberflächen. Lokale Streulichtmessungen und Bestimmungen der Austrittsarbeit sollen dabei Informationen über die Struktur der Oberfläche auf µm–Skala liefern. Um in den Bereich noch kleinerer Längenskalen vorzustoßen, wird ein bei diesen tiefen Temperaturen arbeitender Rastertunnelmikroskop–Aufbau eingesetzt. Damit kann die Oberfläche dieser sehr empfindlichen Substrate auf der Längenskala zugänglich gemacht werden, die möglichen Grenzflächenanregungen entspricht. Neben der Charakterisierung der präparierten Cs–Oberflächen werden diese gezielt manipuliert und die Auswirkungen auf die Benetzungseigenschaften untersucht. Dabei lassen sich die Oberflächeneigenschaften u.a. durch thermisches Annealing oder durch Oxidation verändern.