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TT: Tiefe Temperaturen
TT 21: Postersitzung III: Spin-Peierls-Systeme, Metall-Isolator-Übergang, Lokalisierung; SL: Theorie; Quantenflüssigkeiten und -kristalle; Amorphe Materialien, Tunnelsysteme; Borcarbide, Fullerene, konventionelle SL; SL dünner Filme; Experimentiertechniken
TT 21.60: Poster
Donnerstag, 26. März 1998, 15:00–18:30, D
Rabioszillationen gekoppelter Tunnelsysteme — •Bernhard Thimmel1, Peter Nalbach1 und Orestis Terzidis2 — 1Institut für Theoretische Physik, Philosophenweg 19, 69120 Heidelberg — 2Service de Physique de l’Etat Condensé, CEA/Saclay 91191 Gif-sur-Yvette Cedex
Wir untersuchen die Antwort eines Paares von gekoppelten Tunnelsystemen auf ein eingestrahltes Feld.
| H = − |
| σx⊗ 1 − |
| 1⊗σx − J σzσz − η sin(ω t) (σz⊗ 1 + 1⊗σz) (1) |
J ist dabei die Kopplungsstärke der beiden Tunnelsysteme.
Wir können mehrere Voraussagen für dieses System treffen,
in denen sich die Antwort (das Spektrum des Dipolmoments)
vom ungekoppelten System unterscheidet:
1. Es entstehen zwei effektive ungekoppelte Tunnelsysteme
unterschiedlicher Frequenz.
2. Bei resonanter Einstrahlung mit einer dieser Frequenzen
finden wir zwei (J-abhängige) Rabi-Frequenzen
anstelle einer.
3. Die relative Stärke der beiden Rabi-Komponenten ist stark
temperaturabhängig.
4. Bei δ k, T klein, J>0 wird die Antwort der größeren
Frequenz stark unterdrückt.