Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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TT: Tiefe Temperaturen

TT 21: Postersitzung III: Spin-Peierls-Systeme, Metall-Isolator-Übergang, Lokalisierung; SL: Theorie; Quantenflüssigkeiten und -kristalle; Amorphe Materialien, Tunnelsysteme; Borcarbide, Fullerene, konventionelle SL; SL dünner Filme; Experimentiertechniken

TT 21.61: Poster

Donnerstag, 26. März 1998, 15:00–18:30, D

Tunnelspektroskopische Untersuchungen an verschiedenen Tunnelanordnungen — •B. Sandow¹, K. Gloos², E. Henze¹ und A.N. Ionov³ — ¹Institut für Experimentalphysik, Freie Universität, Arnimallee 14, D-14195 Berlin — ²Institut für Festkörperphysik, TU Darmstadt, Hochschulstr.8, D-64289 Darmstadt — ³A.F. Ioffe, Physikalisch-Technisches Institut, St. Petersburg, Rußland

Der Einfluß von Oberflächenzuständen auf die Tunnelleitfähigkeit ist schwer zu durchschauen, denn trotz Reproduzierbarkeit der Messungen ist ihre Anwesenheit schwer zu fassen. Daher werden Tunnelspektren gemessen an mechanisch-kontrollierbaren Bruchkontakten (Halbleiter/Va- kuum/Halbleiter) verglichen mit Spektren gemessen an einer Halbleiter/ Isolator/Pb-Schichtstruktur. Diese Untersuchungen wurden an nichtmetallischen n-Typ Germaniumkristallen bei tiefen Temperaturen (100mK-10K) durchgeführt, mit dem Ziel, die elektronische Zustandsdichte zu bestimmen.