Regensburg 1998 – scientific programme

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TT: Tiefe Temperaturen

TT 21: Postersitzung III: Spin-Peierls-Systeme, Metall-Isolator-Übergang, Lokalisierung; SL: Theorie; Quantenflüssigkeiten und -kristalle; Amorphe Materialien, Tunnelsysteme; Borcarbide, Fullerene, konventionelle SL; SL dünner Filme; Experimentiertechniken

TT 21.62: Poster

Thursday, March 26, 1998, 15:00–18:30, D

Spontane Dickenresonanzemission — •Ch. L. Spiel — Institut für Tieftemperaturphysik und Angewandte Physik, Technische Universität München, James–Franck–Straße 1, D–85747 Garching

Auf einer sauberen, glatten, 1.3 K kalten Si(100)–c(2× 1) Oberfläche werden im UHV verschiedene Edelgase adsorbiert. Der Si–Kristall wird während des Kondensationsvorgangs mit einem HeNe–Laser der Leistungsdichte von 1 W/m² bestrahlt.

Die durch den Laser im Si erzeugten Phononen regen das Adsorbat zu Emission von Phononen an. Die Intensität der Emission ist von der Schichtdicke abhängig. Aus der Phononenintensität als Funktion der Dicke läßt sich die Gruppengeschwindigkeit und die mittlere freie Weglänge im Adsorbat berechnen.

Die spontane Dickenresonanzemission kann als phononisches Analogon zu einem Fabry–Perot–Interferometer (Laserresonator) verstanden werden.