Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

TT: Tiefe Temperaturen

TT 21: Postersitzung III: Spin-Peierls-Systeme, Metall-Isolator-Übergang, Lokalisierung; SL: Theorie; Quantenflüssigkeiten und -kristalle; Amorphe Materialien, Tunnelsysteme; Borcarbide, Fullerene, konventionelle SL; SL dünner Filme; Experimentiertechniken

TT 21.82: Poster

Donnerstag, 26. März 1998, 15:00–18:30, D

Einflu"s von Zwischenschichten auf die Phononenkopplung zwischen Si-Substraten und Zinn-Detektorkontakten — •A. Kohler and W. Eisenmenger — 1. Physikalisches Institut, Universit"at Stuttgart, Pfaffenwaldring 57, D-70550 Stuttgart

Bei der Anwendung von supraleitenden Zinn-Tunnelkontakten als Phononendetektoren tritt ein unerwartet hoher Phononenverlust in der Substrat-Detektor-Grenzfl"ache auf ([1]). Durch Aufdampfen einer ca. 100 Å starken Schicht amorphen Siliziums vor der Pr"aparation des Detektorkontakts wird die Substrat-Detektor-Kopplung verbessert. Bei Transmissionsexperimenten mit Phononenpulsen zeigte sich eine Verdopplung der in den Detektor transmittierten Phononenintensit"at gegen"uber einer Vergleichsstrecke ohne Zwischenschicht. Zwischenschichten aus Germanium zeigten keine vergleichbare Verbesserung der Phononenkopplung. Bei beiden Materialien trat eine deutlich verbesserte mechanische Haftung des Detektorfilms am Substrat auf.

[1] H. J. Trumpp, W. Eisenmenger, Z. Physik B 28,159-171(1977)