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TT: Tiefe Temperaturen
TT 21: Postersitzung III: Spin-Peierls-Systeme, Metall-Isolator-Übergang, Lokalisierung; SL: Theorie; Quantenflüssigkeiten und -kristalle; Amorphe Materialien, Tunnelsysteme; Borcarbide, Fullerene, konventionelle SL; SL dünner Filme; Experimentiertechniken
TT 21.90: Poster
Donnerstag, 26. März 1998, 15:00–18:30, D
Homogenität der induktiven und RF-Eigenschaften von dicken, ein- und doppelseitigen gesputterten YBa2Cu3O7−δ - Filmen — •M. Getta, A. Cassinese, Th. Kaiser, G. Müller, H. Piel und B. Skriba — Fachbereich 8 - Physik, Bergische Univ. Wuppertal
Für viele Mikrowellenanwendungen werden dicke (≤ 700 nm), doppelseitige
YBCO-Filme mit niedrigem Oberflächenwiderstand Rs bei hoher
Leistungsbelastbarkeit benötigt. Doppelseitige Beschichtung ist beim planaren
DC-Hochdrucksputterverfahren nur mit einer dünnen Quarzglasplatte
zwischen Substrat und Kontaktheizer möglich. Die dabei benö-
tigten
Heizeroberflächentemperaturen von bis zu 1000∘C konnten über eine
Fläche von 50 mm Durchmesser nur mit einer neuen Heizerkonstruktion erreicht
werden. Aus in-situ Messungen der Filmwachstumstemperaturen berechnete
Kompensationfunktionen ermöglichten zeitlich konstante Wachstumsbedingungen
auch für dickere Filme. Induktive Messungen an 10×10 mm-Proben mit
550 (750) nm Schichtdicke ergaben Tc- bzw. jc(77 K)-Werte von
91 (89,5) K bzw. 3,5 (2,6) MA/cm2. Die entsprechenden
Rs(77 K)-Werte bei 87 GHz betrugen 10 (15) mΩ. RF-Messungen der
Leistungsbelastbarkeit bei 19 GHz an Ø 50 mm-Filmen mit 350 nm
Standarddicke ergaben Rs(77 K)-Werte ≤ 2 mΩ bis zu
Bs = 16 mT. Zur Untersuchung der Homogenität von ein- und
doppelseitigen Filmen bis zu 50 mm Durchmesser wurden Hall-Scans bei 77 K
gemacht, woraus jc-Karten der gesamten Filmfläche berechnet werden
konnten.