Regensburg 1998 – scientific programme

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TT: Tiefe Temperaturen

TT 22: Supraleitende Filme II

TT 22.5: Talk

Friday, March 27, 1998, 11:00–11:15, H 20

Simultan doppelseitige Beschichtung von 3-Zoll-Wafern
mit HTSL-Filmen — •J. Geerk, F. Ratzel und H. Rietschel — Forschungszentrum Karlsruhe, INFP, Postfach 3640, D-76021 Karlsruhe

Es wird der Aufbau und Test einer Anlage zur Präparation doppelseitig mit Filmen der 1-2-3-Phase beschichteter 3-Zoll-Wafern beschrieben. Die Beschichtung erfolgt durch Kathodenzerstäubung mittels invertierter Zylinderkathoden von 40 mm Durchmesser. Die Beheizung der Substrate auf eine Temperatur bis zu 900^∘C erfolgt zum Teil durch das Zerstäubungsplasma und zusätzlich durch einen kastenförmigen Strahlungshohlraum von ca. 15 cm Kantenlänge, der an zwei gegenüberliegenden Flächen jeweils eine kreisförmige Öffnung für eine Zylinderkathode enthält. Zur Erzielung einer homogenen Beschichtung wird der Wafer in zwei zueinander senkrechten Richtungen bewegt. Mit Hilfe dieses Verfahrens wurden 3-Zoll-Wafer aus in R-Ebene geschnittenem Saphir beschichtet. Dabei wurden die notwendigen CeO₂-Pufferschichten durch Hochfrequenzzerstäubung bei einer Substrattemperatur von 850^∘C erzeugt. Die HTSL-Beschichtung erfolgte bei Temperaturen um 780^∘C.