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TT: Tiefe Temperaturen

TT 22: Supraleitende Filme II

TT 22.6: Vortrag

Freitag, 27. März 1998, 11:15–11:30, H 20

Anisotropie des spezifischen Widerstands in orientiert aufgewachsenen Bi₂Sr₂CaCu₂O₈ - Schichten — •Th. Zahner¹, R. Stierstorfer¹, R. Rössler², J. Pedarnig², D. Bäuerle² und H. Lengfellner¹ — ¹Institut für Experimentelle und Angewandte Physik, Universität Regensburg, D-93040 Regensburg — ²Institut für Angewandte Physik, Universität Linz, A-4040 Linz

D=81nne BSCCO-Schichten (d =3D 100 nm) wurden mittels Laserablation auf

SrTiO₃-Substratkristallen hergestellt. Um ein verkipptes Aufwachsen der Schichten zu erreichen, wurden Substrate verwendet, deren Oberfl=84chen mit einem Kippwinkel α =3D 0^∘,5^∘,10^∘,15^∘,20^∘,25^irc zur (001)-Ebene geschnitten waren. Das Schichtwachstum wurde mit REM, XRD und Widerstandsmessungen untersucht. Übereinstimmend wurde festgestellt, da=E1 auf Substraten mit α ≤ 15^∘ die Schichten richtungsorientiert mit dem Kippwinkel des Substrates aufwachsen. Aus diesen Ergebnissen und einer tensoriellen Beschreibung des Widerstands konnte der spezifische ’in-plane’ und ’out-of-plane’ Widerstand, ρ_ab und ρ_c, der BSCCO-Schichten bestimmt werden. Die Übereinstimmung der Widerstandswerte mit für Einkristalle veröffentlichten Daten weist auf die Güte und den hohen Orientierungsgrad der Schichten hin.