Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

TT: Tiefe Temperaturen

TT 23: Amorphe Systeme und Defekte

TT 23.6: Vortrag

Freitag, 27. März 1998, 11:45–12:00, H 6

Frequenz- und Temperaturabhängigkeit der dielektrischen
Suszeptibilität von OH bzw. OD-dotierten KCl-Kristallen — •S. Ludwig, M. Kreft, R. Weis und C. Enss — Institut für Angewandte Physik, Universität Heidelberg, Albert Ueberle-Str. 3–5, 69120 Heidelberg

OH⁻- bzw. OD⁻-Defekte werden substitutionell für Cl⁻-Anionen in KCl eingebaut und bilden bei tiefen Temperaturen Rotationstunnelzustände. Aufgrund ihrer elektrischen und elastischen Dipolmomente wechselwirken die Tunnelsysteme sowohl mit äußeren Feldern und als auch untereinander. Wir haben die dielektrische Suszeptibilität von Proben mit unterschiedlichen Defektkonzentrationen in einem weiten Frequenz- und Temperaturbereich untersucht. Bei hohen Konzentrationen (ca. 6000 ppm) finden wir, daß das dielektrische Verhalten der Kristalle fast ausschließlich durch Relaxationsprozesse bestimmt wird. Die Frequenzabhängigkeit des dielektrischen Verlusts zwischen 100 Hz und 1 GHz läßt auf eine sehr breite Verteilung der Relaxationszeiten schließen. Bei höheren Temperaturen werden Absorptionsmaxima beobachtet, die der thermisch aktivierten Reorientierung von paarweise gekoppelten Defekten zugeordnet werden können.