Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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TT: Tiefe Temperaturen
TT 8: Josephson-Kontakte
TT 8.7: Vortrag
Dienstag, 24. März 1998, 12:00–12:15, H 20
Phasenkohärente Andreev-Reflexion in Nb-In0.77Ga0.23As/InP-Nb Kontakten — •J. Malindretos, Th. Schäpers, K. Neurohr, A. Kaluza, G. Crecelius, A. van der Hart, H. Hardtdegen und H. Lüth — Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich, D-52425 Jülich
Die Verbindung von Supraleitern mit hochbeweglichen zweidimensionalen Elektronengasen (2DEG) eröffnet die Möglichkeit zur Beobachtung von neuartigen supraleitenden Quanteneffekten. Bei den von uns untersuchten Nb/2DEG/Nb wurde eine verspannte InGaAs/InP Heterostruktur verwendet, die sich durch eine hohe Elektronenkonzentration und Beweglichkeit auszeichnet. Der Transport der von uns hergestellten Strukturen mit einem Elektrodenabstand von 450nm läßt sich daher im sog. clean limit beschreiben. Der kritische Strom von Ic=3D3.8 µA in Verbindung mit einem Normalwiderstand von 50 Ω resultiert in eine charakteristische Spannung von 190 µV. Durch Annahme δ-förmiger Barriere an der Nb/2DEG-Grenzfläche war eine Beschreibung der Temperaturabhängigkeit von Ic mit Hilfe des Modells möglich, welches auf phasenkohärenter Andreev-Reflexion basiert. Die magnetfeldabhängige Messung von Ic zeigte ein regelmäßiges Fraunhofer-Interferenzmuster, das auf eine gleichförmige Stromverteilung innerhalb der Struktur schließen läßt.