Heidelberg 1999 – wissenschaftliches Programm

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AKE: Arbeitskreis Energie

AKE 2: Solare Energietechnik

AKE 2.8: Vortrag

Montag, 15. März 1999, 17:15–17:30, AM4

Laserkristallisierte polykristalline Siliciumschichten auf Glas für Solarzellen — •Gudrun Andrä, Joachim Bergmann, Fritz Falk und Ekkehard Ose — IPHT, Helmholtzweg 4, 07743 Jena

Kristalline Siliciumschichten mit den für Dünnschichtsolarzellen notwendigen Kristallitgrößen von einigen Mikrometern bis zu 100 Mikrometern lassen sich auf Niedertemperaturgläsern nur durch Laserkristallisation präparieren. Es wurden amorphe 500 nm dicke Siliciumschichten durch einen PECVD-Prozess auf Glas abgeschieden und durch Bestrahlung mit einem Argonionen- oder Kupferdampflaser kristallisiert. Diese Schichten lassen sich dann durch Excimerlaserbestrahlung während der weiteren Beschichtung mit amorphem Silicium auf die für Solarzellen erforderliche Schichtdicke epitaktisch verdicken. Struktur und Eigenschaften dieser Schichten werden vorgestellt.