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MS: Massenspektrometrie
MS VI: HV VI
MS VI.1: Hauptvortrag
Montag, 15. März 1999, 12:30–13:00, PA 3
Kalibrierung der Schwingungsbande von CAs in GaAs mittels FTIR, SSMS und CPAA — •B. Wiedemann1, H. Ch. Alt2, K. Bethge1, J. D. Meyer1 und R. W. Michelmann1 — 1Institut für Kernphysik, August-Euler-Str. 6, D-60486 Frankfurt — 2Physikalische Technik, Fachhochschule München, Lothstr. 34, D-80335 München
Der Einbau von C auf Arsen-Gitterplatz in GaAs (CAs) wird durch eine charakteristische Feinstruktur der Schwingungsbande bei der Wellenzahl 582cm−1 (77K) angezeigt. Die integrale Absorption Iα dieser Bande ist ein Maß für die Konzentration des wichtigsten Akzeptors CAs in undotierten GaAs-Einkristallen. Die Messung von Iα mittels FTIR (Fourier transform infrared absorption spectroscopy) und der Konzentration [C] mittels SSMS (spark source mass spectrometry) führte oberhalb der Nachweisgrenze 1x1013cm−3 im Bereich 2,8x1014cm−3≤ [C]≤1,6x1016cm−3 zu einem verbesserten Faktor f=[C]/Iα von (7,2±0,2)x1015cm−1 für die Messung von [CAs] bei 77K. [C] wurde mit einem relativen Empfindlichkeitskoeffizienten RSC=[C]SSMS/[C]CPAA von 3,1±0,1 berechnet, der unter Verwendung der CPAA (charged particle activation analysis) mit den Kernreaktionen 12C(d,n)13N und 12C(3He,α )11C oberhalb 5x1014cm−3 ermittelt wurde. Die e+-Emitter 13N (t1/2=9,96min) und 11C (t1/2=20,4min) wurden durch γ-γ-Koinzidenzen der 511keV Annihilationssstrahlung in den Zerfallskurven über ihre Halbwertszeit nachgewiesen.