Heidelberg 1999 – wissenschaftliches Programm
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P: Plasmaphysik
P 15: Diagnostik III
P 15.7: Vortrag
Donnerstag, 18. März 1999, 18:00–18:15, ZO 2
Untersuchungen der Selbstabsorption des Si I-Multipletts bei 251 nm mit korrelierter Emissionsspektroskopie — •S. Klenge, I. Altmann, K. Hirsch, H. Jentschke, B. Roth und U. Schumacher — Institut für Plasmaforschung, Universität Stuttgart, Pfaffenwaldring 31, D–70569 Stuttgart
In der Wechselwirkungszone eines Plasmafreistrahls mit einem Target des hitzebeständigen Verbundwerkstoffs C/C–SiC werden die Erosionsmechanismen mit der Emissions- und Absorptionsspektroskopie am Multiplett des Si I bei 251 nm untersucht. Der zeitliche Verlauf der Erosion kann über die Si-Dichteverteilung vor dem Target und einem Umströmungsmodell bestimmt werden. Die Silizium–Neutralteilchendichte ergibt sich aus den Absorptionskoeffizienten der Linien des Multipletts. Diese können aus den Verzweigungsverhältnisen der Linienintegrale, denen der Linienintensitätsmaxima, aus den Verhältnissen der Linienhalbwertsbreiten und denen der Krümmungen im Linienzentrum bestimmt werden. Die zeitlich korrelierten Messungen des Verzweigungsverhältnisses der Linienintegrale ergeben die genauesten Werte für die jeweilige optische Tiefe, aus der der Absorptionskoeffizient und damit die Si–Teilchendichte ermittelt wird. Die Ergebnisse werden durch diejenigen aus den anderen drei Meßmethoden sehr gut bestätigt. Für die Si–Neutralteilchendichte ergibt sich ein Wert von etwa 4 * 1018 m−3.
Gefördert durch die DFG (SFB 259)