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P: Plasmaphysik

P 24: Entladungen (Poster)

P 24.21: Poster

Dienstag, 16. März 1999, 16:30–19:00, PY

Strukturbildung in einem gleichspannungsgetriebenen Gas–Halbleiter Schichtsystem — •C. Strümpel und H.-G. Purwins — Institut für Angewandte Physik, Universität Münster, Corrensstraße 2/4, 48149 Münster

In einem quasi zweidimensionalen System aus zwei aneinander grenzenden Schichten, wobei die eine aus einem hochohmigen Halbleitermaterial und die andere aus einem Gas besteht, lassen sich trotz homogener Ausgangsbedingungen bei Anlegen einer Hochspannung in der sich ausbildenden Gasentladung Strukturierungen in der Leuchtdichte beobachten. Dabei handelt es sich beispielsweise um Filamentierung, also um die Konzentration der Leuchtdichte und damit der Stromdichte auf ein oder mehrere bestimmte runde Gebiete, die in ihrere Ausdehnung wesentlich kleiner sind als die gesamte Ausdehnung der Schicht in lateraler Richtung. Die Strukturen können statisch oder dynamisch sein, d.h. es ist zum Beispiel möglich, daß sich die Stromdichtefilamente über das Grundgebiet bewegen. Untersucht wird die Abhängigkeit der Strukturierung von äußeren Parametern wie Entladungsspannung, Gasdruck und Dicke der Gasschicht. Der Widerstand der Halbleiterschicht, in diesem Fall GaAs, kann durch Beleuchtung und der damit verbundenen Anregung von Elektronen in das Leitungsband ebenfalls variiert werden.