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Q: Quantenoptik

Q 3: Quanteneffekte I

Q 3.8: Vortrag

Montag, 15. März 1999, 15:45–16:00, PH4

Resonanzfluoreszenz in der Nähe absorbierender dielektrischer Oberflächen — •S. Scheel, L. Knöll und D.-G. Welsch — Theoretisch-Physikalisches Institut, Friedrich-Schiller-Universität Jena, Max-Wien-Platz 1, D-07743 Jena

Wir verallgemeinern das Quantisierungsschema für elektromagnetische Felder in beliebigen linearen Kramers-Kronig-Dielektrika [1] für den Fall, daß zusätzliche atomare Quellen mit den Feldern wechselwirken. Als Anwendung untersuchen wir die Resonanzfluoreszenz eines Atoms in der Nähe einer absorbierenden dielektrischen Oberfläche. Es zeigt sich, daß die Eigenschaften des gestreuten Lichts stark von den dielektrischen Eigenschaften der Oberfläche abhängen, speziell wenn die atomare Übergangsfrequenz in der Nähe einer Absorptionslinie des Mediums liegt. Wir diskutieren die mögliche Anwendung der Theorie im Bereich der Nahfeldmikroskopie. Ausgehend von der analytischen Form der Greenschen Funktion der planaren Oberfläche [2] werden dabei Oberflächenrauhigkeiten in Form einer Dyson-Gleichung für Greensche Funktionen implementiert [3]. Die Invertierung dieser Integralgleichung liefert dann aus den Streudaten das gesuchte Oberflächenprofil.

[1] S. Scheel, L. Knöll, and D.-G. Welsch, Phys. Rev. A 58, 700 (1998)

[2] Ho Trung Dung, L. Knöll, and D.-G. Welsch, Phys. Rev. A 57, 3931 (1998)

[3] J.-J. Greffet, Phys. Rev. B 37, 6436 (1988)