T 109: Halbleiterdetektoren 1
Montag, 15. März 1999, 14:00–16:00, MA2
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14:00 |
T 109.1 |
Status der Technologie von voll integrierten GaAs Streifendetektoren — •Costas Rente, W. Braunschweig, J. Breibach, Th. Kubicki, K. Lübelsmeyer, Th. Mäsing, Ch. Röper, and A. Siemes
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14:15 |
T 109.2 |
Prozeßoptimierung von Rückseitenkontakten für GaAs - Detektoren — •Thomas Mäsing, W. Braunschweig, J. Breibach, Th. Kubicki, K. Lübelsmeyer, C. Rente, Ch. Röper und A. Siemes
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14:30 |
T 109.3 |
Preshape-Auslese für einen GaAs-Streifendetektor zum Nachweis von hochenergetischen Photonen — •Th. Kubicki, K. Lübelsmeyer, Th. Mäsing, C. Rente und A. Siemes
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14:45 |
T 109.4 |
Test von GaAs Dioden und Mikrostreifen Detektoren mit einem Infrarotlaser — •W.H. Gu, J. Breibach, St. König, K. Lübelsmeyer, Th. Mäsing, D. Pandoulas, R. Siedling und B. Wittmer
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15:00 |
T 109.5 |
Kontaktübergang von CdTe–Detektoren — •Jörn Kutscher, K.H. Becks und S. Gaspers
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15:15 |
T 109.6 |
Bildgebende Eigenschaften von hybriden GaAs-Pixeldetektoren — •C. Schwarz, R. Göppert, J. Ludwig, K. Runge, M. Hornung, M. Rogalla und A. Söldner-Rembold
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15:30 |
T 109.7 |
Entwicklung von GaAs Charge-Coupled Devices (CCD) mit hoher Quanteneffizienz für die medizinische Röntgendiagnostik — •R. Göppert, M. Hornung, R. Irsigler, J. Ludwig, M. Rogalla, K. Runge, C. Schwarz und A. Söldner-Rembold
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15:45 |
T 109.8 |
Möglichkeiten von CVD Diamant für ortsauflösende Teilchendetektoren — •A. Oh, A. Wagner, T. Behnke, and W. Zeuner
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