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T: Teilchenphysik

T 209: Halbleiterdetektoren 2

T 209.7: Vortrag

Montag, 15. März 1999, 18:00–18:15, MA2

Elektrische Tests an Bump-Bond-Strukturen sowie Tests von GaAs Pixeldetektoren mit integrierter Ausleseelektronik in Honeywell RICMOS IV Technologie — •J. Breibach, W. Gu, W. Karpinski, Th. Kubicki, K. L"ubelsmeyer, Th. M"asing, G. Pierschel, and C. Rente — I. Physiklisches Institut RWTH, 52056 Aachen

F"ur die Verbindung von GaAs Pixeldetektoren mit einer integrierten Ausleseelektronik wurde ein Indium-Bump-Bond-Prozess entwickelt [1]. Das elektrische Verhalten von Pixeln, die mittels dieses Prozesses kontaktiert wurden, werden mit denen unbehandelter Dioden verglichen. Des weiteren werden Untersuchungen zur Ausbeute dieses Prozesses pr"asentiert. Mit Hilfe des Bond-Prozesses wird ein GaAs-Pixeldetektor mit 22×32 Pixeln mit einem integrierten Auslesechip in strahlenharter Honeywell RICMOS IV-Technologie [2] verbunden. Messungen an diesem Hybriden werden in Hinblick auf den Einsatz am CMS-Experiment vorgenommen. Diese Aktivit"aten werden in Zusammenarbeit mit dem Paul Scherrer Institut in Villigen/CH durchgef"uhrt.

[1] J.Breibach et al.,Beam Test Results with a GaAs Pixel Detector, to be published at NIM in the proceedings of the International Conference on Particle Physics and advanced Technologies, Como October 1998

[2] W.Karpinski et al., Pixel Readout Electronics in Honeywell SOI CMOS, to be published in the proceedings of the fourth Workshop on Electronics for LHC Experiments, Rome 21-25 September 1998