T 309: Halbleiterdetektoren 3
Dienstag, 16. März 1999, 14:00–15:55, MA2
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14:00 |
T 309.1 |
Gruppenbericht:
Strahlungsharte Silizium-Sensorelemente f"ur den ATLAS-Pixeldetektor — •T. Rohe and die deutschen ATLAS-Pixel Gruppen
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14:25 |
T 309.2 |
Untersuchung von ionisationsinduzierten Oberflächeneffekten bei Siliziumstrukturen in Abhängigkeit verschiedener Bestrahlungsparameter — •C. Lichau, C. Gößling, R. Wunstorf und J. Wüstenfeld
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14:40 |
T 309.3 |
Entwicklung strahlenharter Siliziumdetektoren – Neue Materialien — •M. Moll, E. Fretwurst, M. Kuhnke und G. Lindström
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14:55 |
T 309.4 |
Untersuchungen zum Einfluß der Si-SiO2-Grenzfläche bei feinsegmentierten Siliziumdetektoren nach Strahlenschädigung — •M. Peters, C. Gößling, R. Wunstorf und J. Wüstenfeld
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15:10 |
T 309.5 |
Defektspektroskopie an sauerstoffreichem Silizium nach Bestrahlung — •M. Kuhnke, E. Fretwurst, G. Lindström und M. Moll
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15:25 |
T 309.6 |
Tests der Lebensdauer von VCSEL-Dioden für den ATLAS Pixeldetektor — •A. Kootz, K.-H. Becks und I.M. Gregor
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15:40 |
T 309.7 |
Strahlungsh"artestudien an Pixeldetektor-Auslesechips in Honeywell RICMOS IV Technologie — •W. Karpinski, J. Breibach, K. L"ubelsmeyer, and G. Pierschel
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