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Heidelberg 1999 – scientific programme

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T: Teilchenphysik

T 309: Halbleiterdetektoren 3

Tuesday, March 16, 1999, 14:00–15:55, MA2

14:00 T 309.1 Group Report: Strahlungsharte Silizium-Sensorelemente f"ur den ATLAS-Pixeldetektor — •T. Rohe and die deutschen ATLAS-Pixel Gruppen
14:25 T 309.2 Untersuchung von ionisationsinduzierten Oberflächeneffekten bei Siliziumstrukturen in Abhängigkeit verschiedener Bestrahlungsparameter — •C. Lichau, C. Gößling, R. Wunstorf und J. Wüstenfeld
14:40 T 309.3 Entwicklung strahlenharter Siliziumdetektoren – Neue Materialien — •M. Moll, E. Fretwurst, M. Kuhnke und G. Lindström
14:55 T 309.4 Untersuchungen zum Einfluß der Si-SiO2-Grenzfläche bei feinsegmentierten Siliziumdetektoren nach Strahlenschädigung — •M. Peters, C. Gößling, R. Wunstorf und J. Wüstenfeld
15:10 T 309.5 Defektspektroskopie an sauerstoffreichem Silizium nach Bestrahlung — •M. Kuhnke, E. Fretwurst, G. Lindström und M. Moll
15:25 T 309.6 Tests der Lebensdauer von VCSEL-Dioden für den ATLAS Pixeldetektor — •A. Kootz, K.-H. Becks und I.M. Gregor
15:40 T 309.7 Strahlungsh"artestudien an Pixeldetektor-Auslesechips in Honeywell RICMOS IV Technologie — •W. Karpinski, J. Breibach, K. L"ubelsmeyer, and G. Pierschel
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