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T: Teilchenphysik

T 309: Halbleiterdetektoren 3

T 309.5: Vortrag

Dienstag, 16. März 1999, 15:10–15:25, MA2

Defektspektroskopie an sauerstoffreichem Silizium nach Bestrahlung — •M. Kuhnke, E. Fretwurst, G. Lindström und M. Moll — II.Institut für Experimentalphysik, Universität Hamburg, Luruper Chaussee 149, D-22761 Hamburg

Durch eine Erhöhung der Sauerstoffkonzentration im Silizium ist es im Rahmen der ROSE-Kollaboration [1] gelungen, die Strahlenhärte von Detektoren wesentlich zu erhöhen.
Die makroskopischen Eigenschaften der Siliziumdetektoren (Verarmungsspannung, Sperrstrom und Ladungssammlung) werden nach starker Strahlenschädigung allein durch die strahleninduzierten Defekte bestimmt. Um den positiven Einfluß des Sauerstoffes auf die Strahlenhärte zu verstehen und die Strahlenhärte des Materials weiter zu verbessern, sind deshalb defektspektroskopische Untersuchungen notwendig.
Es werden Messungen mit der DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy) - Methode an neutronen- und protonenbestrahlten Detektoren vorgestellt, die den Einfluß des Sauerstoffs auf die Defektkinetik nach Bestrahlung zeigen. Die Auswirkungen auf die makroskopischen Eigenschaften der Detektoren werden diskutiert.

[1] ROSE - R & d On Silicon for future Experiments,
http://www.brunel.ac.uk/research/rose/