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Heidelberg 1999 – scientific programme

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T: Teilchenphysik

T 609: Halbleiterdetektoren 5

T 609.5: Talk

Thursday, March 18, 1999, 17:30–17:45, TE12

DEPJFET Silizium-Pixel-Detektoren — •Wolfgang Neeser1, Matthias Böcker2, Peter Buchholz2, Peter Fischer1, Nikolas Hörnel3, Peter Klein2, Mario Löcker1, Gerhard Lutz3, Ingo Schäfer2, Marcel Trimpl2, Johannes Ulrici1 und Norbert Wermes11Physikalisches Institut der Universität Bonn, Nußallee12, 53115 Bonn — 2Exp. Physik E Vb, Universität Dortmund, 44221 Dortmund — 3MPI für Physik, Halbleiterlabor, Paul Gerhard Allee 42, 81245 München

Ein p-Kanal JFET auf vollständig depletiertem, hochohmigem Siliziumsubstrat wurde als Pixel-Detektorzelle getestet. In einem solchen DEPJFET werden Signalladungen unter dem Kanal des JFET akkumuliert und steuern den Transistor. Solche Strukturen zeichnen sich vor allem durch sehr kleine Detektorkapazitäten und interne Ladungsverstärkung aus, was zu einem hohem Signal-zu-Rausch-Verhältnis führt. Sowohl einzelne Pixel als auch eine Matrixanordnung wurden mittels Laser und radioaktiven Quellen getestet. Außerdem wird das für eine Matrixauslese benötigte System inklusive der entwickelten, integrierten Ausleseelektronik vorgestellt.

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