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AM: Magnetismus
AM 10: Postersitzung
AM 10.37: Poster
Dienstag, 23. März 1999, 16:15–20:00, F\"urstenberghaus
Untersuchungen zur Qualität der Tunnelbarriere in TMR-Elementen — •S. Tegen, H. Vinzelberg, M. Bertram, J. Schumann, I. Mönch und C.M. Schneider — Institut für Festkörper- und Werkstofforschung Dresden, Postfach 270016, 01171 Dresden
Miniaturisierte magnetische Tunnelelemente, deren Widerstand sich in Abhängigkeit von der Magnetisierungsrichtung der Elektroden ändert, stoßen u. a. wegen ihrer möglichen Anwendung als Speicherzellen (MRAMs) auf großes Interesse. Zur Präparation entsprechender Elemente auf der Basis des Schichtsystems Co/AlOx/Py nutzen wir photo- und elektronenstrahllithographische Strukturierungsverfahren. Als Layoutvarianten kommen sowohl gekreuzte Leiterbahnen als auch durch Schattenbedampfung erzeugte Überlappungsstrukturen zum Einsatz, bei denen sich eine deutliche Minimierung der Tunnelfläche realisieren läßt. Bei He-Temperatur können Widerstandsänderungen bis zu 14% beobachtet werden, dieser Effekt verringert sich aber mit steigenden Temperaturen, was auf eine nicht optimale Oxidbarriere hinweist. Die Resultate der Kennlinienaufnahmen in Abhängigkeit von Magnetfeld und Temperatur werden mit den Präparationsbedingungen der Barriereherstellung korreliert. Dabei werden auch in situ STM/AFM-Untersuchungen der Morphologie an den Elektrodenmaterialien mit einbezogen.