Münster 1999 – scientific programme
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AM: Magnetismus
AM 13: Magnetowiderstand und Magnetoimpedanz III
AM 13.1: Talk
Wednesday, March 24, 1999, 17:00–17:15, F4
Hoher negativer Magnetowiderstand in der Schichtverbindung GdI2 — •Reinhard Kremer1, Kyungsoo Ahn1, Arndt Simon1, Claudia Felser2 und Ram Seshadri2 — 1MPI für Festkörperforschung, Heisenbergstr. 1, D-70569 Stuttgart — 2Inst. für Anorganische und Analytische Chemie, Johannes Guttenberg Universität Mainz, Becher Weg 24, 55099 Mainz
GdI2 kristallisiert in einer Schichtstruktur und ordnet unterhalb 290K ferromagnetisch. Die Sättigungsmagnetisierung beträgt 7.3 µB. Der elektrische Widerstand zeigt im Bereich des Phasenübergangs eine breite Anomalie, die im Magnetfeld abflacht und zu höheren Temperaturen verschiebt. In Magnetfleder von 7 Tesla erreicht der Magnetowiderstand Werte von fast 70 % im Bereich von Zimmertemperatur. Für kleine Magnetfelder ändert sich der Magnetowiderstand linear mit einer Steigung von etwa 40 %/Tesla. Eine selbstkonsistent im Rahmen der lokalen Spindichtenäherung mit der LMTO-ASA Methode berechnete Bandstruktur belegt schmale, nahezu vollständige polarisierte Gd d-Bänder nahe EF als Ursache des sehr hohen Magnetowiderstandes.