Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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AM: Magnetismus

AM 18: Oberfl
ächenmagnetismus II

AM 18.11: Vortrag

Donnerstag, 25. März 1999, 17:15–17:30, F5

Modifikation eines Ummagnetisierungsfeldes durch ein externes elektrisches Feld — •S. Blügel¹, X. Nie¹ und M. Weinert² — ¹Institut für Festkörperforschung, Forschungszentrum Jülich, 52425 Jülich — ²Physics Department, Brookhaven National Laboratory, New York 11973, USA

Wir berichten über einen neuen Effekt, der auf der Wechselwirkung des Magnetismus ultradünner Filme mit einem äußeren statischen elektrischen Feld beruht. Wir stellen diesen Effekt am Beispiel von Fe auf Cu(100) und Fe auf Ag(100) vor. Wir zeigen, daß wir mittels eines elektrischen Feldes in der Lage sind die Kompensationsschichtdicke, die sich einstellt als Folge der Konkurrenz zwischen der in-plane Magnetisierung durch die Formanisotropie und der Senkrechtmagnetisierung durch die magnetokristalline Anisotropie, zu modifizieren. Die Konsequenzen dieses Effektes in Form einer möglichen technischen Realisierung wird diskutiert. Der hier beschriebene Effekt ist die Folge von Rechnungen basierend auf der Dichtefunktionaltheorie in der lokalen Dichtenäherung, die durchgeführt wurden mittels der full-potential linearized augmented plane wave method (FLAPW) in Filmgeometrie mit externem elektrischem Feld und der Beschreibung der Spin-Bahn-Wechselwirkung mit der Methode der zweiten Variation.