Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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CP: Chemische Physik

CP 26: Poster: Spektroskopie

CP 26.12: Poster

Montag, 22. März 1999, 18:00–20:00, R52/R72

Untersuchungen an Polyanilin–Kupfer–Grenzflächen mit Photoelektronenspektroskopie — •H. Ladebusch¹, T. Strunskus¹, J. Posdorfer² und B. Wessling² — ¹Technische Fakultät der
Christian–Albrechts–Universität zu Kiel, Lehrstuhl für Materialverbunde, Kaiserstraße 2, 24143 Kiel — ²Ormecon Chemie GmbH & Co. KG, Ferdinand–Harten–Straße 7, 22949 Ammersbek

Polyanilin ist ein organisches Metall, und die Grenzflächen von Polyanilin mit konventionellen Metallen sind sowohl von grundlegendem als auch von praktischem Interesse. Wichtige Anwendungsgebiete für Polyanilin sind z.B. der Korrosionsschutz (Stahl und Aluminium), Gassensoren sowie die Verwendung einer wäßrigen Polyanilindispersion bei der Leiterplattenherstellung, bei der eine bessere Lötfähigkeit erreicht wird. Mit Hilfe der Photoelektronenspektroskopie (XPS) wurde die Wechselwirkung von Polyanilin, welches aus einer kommerziell erhältlichen Polyanilindispersion [1] abgeschieden wurde, mit Kupfer untersucht. XPS–Spektren zeigen, daß gegenüber einer unbeschichteten Kupferprobe unter Lufteinfluß eine verstärkte Kupfer(I)–oxid–Bildung auf der Oberfläche stattfindet. Weiterhin konnte nachgewiesen werden, daß Kupferionen bei Anwesenheit von Polyanilin aus der Metalloberfläche austreten. Die Anionenkonzentration, die in der wäßrigen Dispersion höher ist, als in der lösungmittelhaltigen Dispersion, spielt für den Reaktionsverlauf eine entscheide Rolle. Erklärungsmodelle für die Grenzflächenreaktionen sowie Reaktionsmechanismen werden vorgestellt und diskutiert. Außerdem werden Ergebnisse zu polyanilinbehandelten Kupfer/Zinn–Oberflächen gezeigt, die die oben genannte bessere Lötfähigkeit auf Kupferplatinen erklären.