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DS: Dünne Schichten

DS 15: Plasma- und Ionentechniken II

DS 15.1: Fachvortrag

Dienstag, 23. März 1999, 15:00–15:15, H 55

Ionengestützte Abscheidung von epitaktischen Galliumnitridschichten — •J.W. Gerlach, D. Schrupp, R. Schwertberger, K. Volz und B. Rauschenbach — Universität Augsburg, Institut für Physik, 86135 Augsburg

Durch stickstoffionengestützte Abscheidung von Gallium auf Saphir wurden dünne wurtzitische Galliumnitridschichten hergestellt. Röntgenbeugung und Elektronenmikroskopie zeigen, daß die Schichten von hoher kristalliner Qualität sind. Ebenso ergeben Röntgen-Polfigurmessungen, daß es sich um epitaktisches Wachstum handelt. Mittels Ionengitterführung wird die Defektverteilung ermittelt. Die Oberflächentopographie der Filme, untersucht mit dem Rasterkraftmikroskop, läßt Rückschlüsse auf die Wachstumsmode zu. Die Struktur und Textur der Schichten, sowie die Defektverteilung werden in Abhängigkeit von den Abscheideparametern, wie zum Beispiel Stickstoff/Gallium-Transportverhältnis, Ionenenergie und Substrattemperatur dargestellt. Insbesondere wird der Einfluß der Herstellungsparameter auf den Gehalt der kubischen GaN-Phase diskutiert.