Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
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DS: Dünne Schichten
DS 17: Charakterisierung mittels SXM-Techniken II
DS 17.2: Fachvortrag
Dienstag, 23. März 1999, 11:30–11:45, PC 7
Lokale Photolumineszenzuntersuchungen an InGaAs-Schichten mit einem SNOM — •Ulf Thiele1, Jörg Schulze2, Stefan Hoppe2, Thomas Schrimpf3, Peter Bönsch3, Georg Eggers1, Andreas Schlachetzki3 und Paul Fumagalli1 — 1Inst. f. Experimentalphysik, Freie Universität Berlin, Arnimallee 14, 14195 Berlin — 2Inst. f. Halbleiterphysik und Optik, Technische Universität Braunschweig, Mendelssohnstr. 3, 38106 Braunschweig — 3Inst. f. Halbleitertechnik, Technische Universität Braunschweig, Postfach 3329, 38023 Braunschweig
Bei epitaktischen niedrigdimensionalen Halbleiterstrukturen sind Photolumineszenzmessungen (PL) eine gute Möglichkeit, die elektronischen und optischen Eigenschaften zu untersuchen. Wünschenswert ist eine Erhöhung der lateralen Auflösung der Messungen, um lokale Aussagen über die Proben treffen zu können.
Daher wurde ein optisches Rasternahfeldmikroskop (SNOM) zur Messung der lokalen PL erweitert. Das von der Probe abgestrahlte PL-Licht wird mit einer thermisch gezogenen oder mikrostrukturierten Sonde [1] detektiert und mit einer Glasfaser zu einem Monochromator geleitet. Damit sind zum einen Aufnahmen lokaler PL-Spektren möglich, zum anderen lassen sich Intensitätsunterschiede bei einer definierten Wellenlänge lateral abbilden und mit der Topographie der Probe korellieren.
Erste Ergebnisse zeigen gute Übereinstimmung mit globalen Referenzmessungen, während an lokalen Defekten der Probenoberfläche eine starke Reduktion des PL-Signals beobachtet werden kann.
[1] E. Oesterschulze et. al., Ultramicroscopy 71, 99-105, 1998