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DS: Dünne Schichten

DS 17: Charakterisierung mittels SXM-Techniken II

DS 17.4: Fachvortrag

Dienstag, 23. März 1999, 12:00–12:15, PC 7

Schottky-Sensoren für die Thermische Rastersondenmikroskopie — •T. Leinhos, M. Müller-Wiegand und E. Oesterschulze — Institut für Technische Physik, Universität Kassel, Heinrich-Plett-Str. 40, D-34132 Kassel

Eine wichtige interessierende Größe bei der Untersuchung von Oberflächen und Mikrostrukturen (z.B. ICs) ist die Temperatur. Die kombinierte Rastersonden Mikroskopie bietet sich an, um mit hoher lateraler Auflösung Temperaturinformationen von einer Oberfläche zu erhalten. Hierfür ist es jedoch erforderlich, entsprechende temperaturempfindliche Sensoren benutzen zu kö"nnen. Bisherige Sensorenkonzepte basieren auf Widerstands- oder Thermoelementsensoren, deren größter Nachteil deren geringe Empfindlich ist. Weiterhin werden sie nur als Einzelexemplare angefertigt und liefern somit zum Teil schlecht reproduzierbare Ergebnisse. An dieser Stelle soll ein Sensorkonzept vorgestellt werden, welches die genannten Nachteile nicht hat. Dieses Sensorkonzept beruht auf der Temperaturabhä"nigkeit eines Schottky-Überganges. Eine Schottky-Diode wird in die Spitze eines Raster-Kraft-Sensors integriert, und erlaubt so eine ortsaufgelößte Messung der Temperatur auf einer Oberfläche. Die Herstellung dieser Sonden erfolgt in einem Batch-Prozeß auf der Basis von p-dotierten (100)-Si-Wafern. Der Herstellungsprozeß soll in diesem Vortrag vorgestellt werden.