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DS: Dünne Schichten

DS 17: Charakterisierung mittels SXM-Techniken II

DS 17.5: Fachvortrag

Dienstag, 23. März 1999, 12:15–12:30, PC 7

Raster-Wärme-Mikroskopie (SThM) mit thermischen Sonden auf der Basis von Schottky-Dioden — •M. Müller-Wiegand, T. Leinhos und E. Oesterschulze — Institut für Technische Physik, Universität Kassel, Heinrich-Plett-Str. 40, D-34132 Kassel

Die auf der Grundlage der Silizium-Mikrostruktur-Technologie hergestellten Cantileversonden mit in der Spitze integrierter Schottky-Diode für die kombinierte Raster-Wärme- und Raster-Kraft-Mikroskopie zeigen gegenüber anderen Sensorkonzepten eine wesentlich höhere Temperaturempfindlichkeit. Die elektrische und thermische Charakterisierung der Sensoren demonstriert die Leistungsfähigkeit dieses Sensorkonzeptes. Rauschmessungen an den Sensoren bestätigen die aus theoretischen Betrachtungen erwartete hohe Temperaturauflösung. Desweiteren wird der Aufbau eines modularen Raster-Wärme-Mikroskops vorgestellt, das die Realisierung verschiedener Meßmodi erlaubt. Die mit diesem SThM erzielbare thermische Auflösung wird an Hand experimenteller Ergebnisse, die durch Messungen an einfachen Probenstrukturen erhalten wurden, diskutiert.