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DS: Dünne Schichten

DS 26: Optische Eigenschaften III

DS 26.1: Fachvortrag

Donnerstag, 25. März 1999, 09:30–09:45, PC 7

Optische Untersuchung des Kristallisationsprozesses ternärer Tellurlegierungen auf der Nanosekundenzeitskala — •Volker Weidenhof¹, Ines Friedrich¹, Sun-Joung You¹ und Matthias Wuttig^1,2 — ¹Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik, FZ-Jülich GmbH, 52425 Jülich — ²I. Physikalisches Institut IA, RWTH Aachen, 52056 Aachen

Phasenwechselmedien auf der Basis ternärer Tellurlegierungen, die bei Zimmertemperatur in der amorphen und in der kristallinen Phase stabilisiert werden können, sind vielversprechende optische Datenspeicher mit hoher Speicherdichte und großer Datentransferrate. Um den wirtschaftlichen Erfolg dieser Datenträger zu gewährleisten, müssen allerdings die Datentransferrate und die Speicherdichte weiter verbessert werden. Ein wichtiger Prozess ist die Rekristallisation amorpher Bereiche, da sie als langsamster Prozess die Datentransferrate limitiert. Um die Kristallisationsprozesse in einer Ge2Sb2Te5- Einzelschicht zeitaufgelöst zu studieren, wurde ein Meßplatz aufgebaut, der die Änderung der Reflektivität auf der Nanosekundenzeitskala mit einer gepulsten Laserdiode untersucht. Dabei stellt sich heraus, daßdie Kristallisation erst mehrere 10 ns nach dem Einschalten des Laserpulses einsetzt. Diese Zeitspanne wird zum einen für das Aufheizen der Probe, zum anderen für die Nukleation kristalliner Bereiche benötigt. Untersuchungen der Umwandlungskinetik mit Hilfe des Johnson-Mehl-Avrami-Modells liefern die Ordnung des Umwandlungsprozesses und zeigen Möglichkeiten zur Verbesserung der Speicherschichten auf.