Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
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DS: Dünne Schichten
DS 26: Optische Eigenschaften III
DS 26.2: Fachvortrag
Donnerstag, 25. März 1999, 09:45–10:00, PC 7
Untersuchung and Charakterisierung des Phasenwechsels an GeSbTe-Verbindungen — •I. Friedrich1, V. Weidenhof1, M. Henke1, P. Franz1, S.-J. You1, H.-W. Wöltgens2 und M. Wuttig2 — 1Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik, Forschungszentrum Jülich GmbH — 2I. Physikalisches Institut I a, RWTH Aachen
Phasenwechselmedien sind Materialsysteme, die für den Einsatz als schnelle, wiederbeschreibbare optische Datenspeicher mit hoher Dichte sehr vielversprechend sind. Bei ihnen wird die Information in Form unterschiedlicher Phasenzustände gespeichert.
Legierungen aus Ge2Sb2Te5 zeigen zwischen amorphem und kristallinem Zustand einen Reflektivitätsunterschied bis zu 85 Prozent und eignen sich daher für den Einsatz als optische Datenspeicher sehr gut.
Der Phasenwechsel, die optischen und strukturellen Eigenschaften von gesputterten Ge2Sb2Te5 -Schichten wurden untersucht. Temperaturabhängige Widerstandsmessungen an amorphen Schichten zeigen eine sprunghafte Abnahme des Widerstandes bei 165 ∘C und 330∘C. Dieses Verhalten konnte mit optischen und Röntgen- (XRD-, XRR-) Messungen einem Übergang vom amorphen zum kristallinen Zustand, bzw. einem strukturellem Phasenwechsel zugeordnet werden. Aus den XRD-Messungen erhält man für Ge2Sb 2Te5 eine NaCl-Gitterstruktur mit einer Gitterkonstanten von 5,995 Å ± 0,002 Å. DSC- (Differential Scanning Calorimetry -) Messungen zeigen eine exotherme Phasenumwandlung bei 165 ∘C und bestätigen damit die Widerstandsmessungen.