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DS: Dünne Schichten

DS 3: Ionenimplantation III

DS 3.1: Fachvortrag

Montag, 22. März 1999, 14:00–14:15, PC 7

Strahlenschäden in Silicium durch fokussierte Ionenstrahlen — •S. Hausmann¹, J. Teichert¹, L. Bischoff¹, M. Voelskow¹, W. Möller¹, H. Hobert² und H. Fuhrmann³ — ¹Institut für Ionenstrahlphysik und Materialforschung, Forschungszentrum Rossendorf — ²Institut für Physikalische Chemie, Friedrich Schiller Universität Jena — ³Paul–Scherrer–Institut, c/o Institut für Teilchenphysik, CH-8093 Zürich

Mit fokussierten Ionenstrahlen verfügt man über Stromdichten im Bereich von A/cm². Durch gezielte zeitliche Variation der Bestrahlungszeit (µs–Auflösung) und der Temperatur wird die Silicium Probe amorphisiert bzw. bleibt kristallin, wenn die Defektrekombination schneller als die Defekterzeugung ist. Dies erlaubt einen Einblick in die Dynamik von Schadenserzeugung und Ausheilung.
Es wurden Bestrahlungen mit 70 keV Co²⁺ und Ge²⁺ Ionen in Si(111) bei Raumtemperatur bis 400 ^∘C durchgeführt. Zur Analyse der Schädigung des Siliciums wurden Thermowellen–Analyse, RAMAN–Streuung und Rutherford Backscattering/Channeling herangezogen. Zusätzlich wurde die Silicium–Schädigung bei konventioneller und fokussierter Ionenimplantation verglichen. Es wird gezeigt, welches Bestrahlungsregime bei einer festen Temperatur die niedrigste Defektkonzentration liefert.
Die Ergebnisse werden auf die Herstellung von CoSi₂ Schichten mittels Ionenstrahlsynthese übertragen.