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DS: Dünne Schichten

DS 3: Ionenimplantation III

DS 3.2: Fachvortrag

Montag, 22. März 1999, 14:15–14:30, PC 7

He⁺ und H⁺ Implantation in vergrabene SiC Schichten — •W. Attenberger, J.K.N. Lindner und B. Stritzker — Universität Augsburg, Institut für Physik, 86135 Augsburg

Mittels Kohlenstoff- Ionenimplantation in Silizium (Energie 180 keV, Dosis 8.5· 10¹⁷ cm⁻², Targettemperatur 500^∘C) und einem Temperschritt bei 1250^∘C werden vergrabene, einkristalline SiC Schichten hergestellt. Es wäre für verschiedene Anwendungen attraktiv, die Si Deckschicht zu entfernen, um beispielsweise einen SiC Seedlayer für CVD Prozesse zu erhalten.

In dieser Arbeit wird die Möglichkeit untersucht, die Si Deckschicht durch Hochdosisionenimplantation von He⁺ und H⁺ bei etwa 40 keV zu entfernen. Durch die Implantation werden in dem Si/SiC/Si Schichtsystem Bläschen und Hohlräume gebildet. Die innere Struktur und die Oberflächen der Schichten wurden mittels hochaufgelöster Transmissions Elektronenmikroskopie an Querschnittspräparaten analysiert. Dabei liegt ein besonderes Augenmerk auf der Entstehung der Bläschen, ihrer Größe und der Entwicklung der Hohlräume.

Bei genügend hohen Dosen werden diese Hohlräume so groß, daß es gelingt, eine dünne Oberflächenschicht abzutragen, wobei die Abtragstiefe durch die Teilchenenergie gesteuert werden kann.