Münster 1999 – scientific programme

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DS: Dünne Schichten

DS 33: Postersitzung

DS 33.12: Poster

Tuesday, March 23, 1999, 09:30–17:30, Aula

Simulation von in situ IR-Reflexionsspektren zur quantitativen Analyse von c-BN Schichten — •L. Ulrich, P. Scheible und A. Lunk — Institut für Plasmaforschung, Universität Stuttgart, Pfaffenwaldring 31, 70569 Stuttgart

Für die Untersuchung des Schichtwachstums von c-BN Schichten ist die in situ FTIR-Reflexionsspektroskopie gut geeignet. Während der Beschichtung dient sie zur Prozeßkontrolle. Unter der Annahme eines mehrphasigen Oszillatormodells ergeben sich aus der Simulation der IR-Spektren folgende quantitativen Größen: Oszillatorfrequenz, Oszillatorstärke, Dämpfungskonstante und Schichtdicke der einzelnen Phasen. Die untersuchten Schichten sind im Hohlkathodenbogenverdampfer auf Silizium abgeschieden worden. Während des Beschichtungsprozesses wurden in situ Spektren im 1-Minuten-Abstand im Wellenlängenbereich zwischen 500 cm⁻¹ und 6000 cm⁻¹ aufgenommen. Die Auswertung der Spektren basiert auf dem Lorentz-Oszillatormodell (Simulationssoftware WVASE32^TM von Woollam). Es wurden Schichten mit unterschiedlichen Herstellungsparametern simuliert. Diskutiert wird der Einfluß der Herstellungsparameter auf die Oszillatorparameter.