Münster 1999 – scientific programme

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DS: Dünne Schichten

DS 33: Postersitzung

DS 33.20: Poster

Tuesday, March 23, 1999, 09:30–17:30, Aula

Untersuchungen zur Grenzflächenrauhigkeit in Ti/C und Mo/Si Multilayern — •A. Aschentrup¹, F. Hamelmann¹, G. Haindl¹, I. Kolina¹, U. Kleineberg¹, E. Majkova¹, A. Anopchenko², M. Jergel², S. Luby² und U. Heinzmann¹ — ¹Molekül– und Oberflächenphysik, Universität Bielefeld, Universitätsstr. 25, D–33615 Bielefeld — ²Institut für Physik, Slowak. Akademie der Wissenschaften, 842 28 Bratislava, Slowakei

Ti/C und Mo/Si Multilayer, die mittels Elektronenstrahlverdampfung mit und ohne Ar–Ionenpolieren hergestellt wurden, sowie mit MOCVD aufgebrachte Mo/Si und W/Si Multilayer sind mit TEM und mit harter Röntgenstrahlung hinsichtlich ihrer Reflektivität und diffusen Grenzflächenstreuung unter streifenden Winkeln untersucht worden. Die Reflektivitätsdaten werden mit Hilfe eines auf den Fresnel–Gleichungen beruhenden Algorithmus ausgewertet, die Messungen der Grenzflächenstreuung mit DWBA (distorted wave Born approximation). Wir berechnen die rms–Rauhigkeit sowie die lateralen und vertikalen Korrelationslängen. Diese Daten werden vervollständigt durch die hochauflösenden Querschnitts–TEM Aufnahmen. Anhand der Ergebnisse wird der Einfluß verschiedener Präparationstechniken auf das Grenzflächenverhalten diskutiert.