Münster 1999 – scientific programme
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DS: Dünne Schichten
DS 33: Postersitzung
DS 33.21: Poster
Tuesday, March 23, 1999, 09:30–17:30, Aula
Herstellung von Metall / Silizium Multischichten mittels Plasma-Enhanced MOCVD — •Frank Hamelmann1, G. Haindl1, J. Hartwich1, A. Klipp2, E. Majkova1, U. Kleineberg1, P. Jutzi2 und U. Heinzmann1 — 1Universität Bielefeld, Fakultät für Physik, Universitätsstr. 25, 33615 Bielefeld — 2Universität Bielefeld, Fakultät für Chemie, Universitätsstr. 25, 33615 Bielefeld
Molybdän / Silizium bzw. Wolfram / Silizium Multischichten mit Einzelschichtdicken von wenigen Nanometern wurden, ausgehend von metallorganischen bzw. siliziumorganischen Quellverbindungen, mit dem MOCVD Verfahren hergestellt. Durch Verwendung eines Remote-Plasmas konnten die benötigten Substrattemperaturen auf unter 200∘C reduziert werden, eine wichtige Voraussetzung für glatte Grenzflächen. Schichtdicke und Grenzflächeneigenschaften werden durch eine in situ Röntgenreflektivitätsmessung kontrolliert. Die so hergestellten Multischichten werden röntgenoptisch, sowie mittels Sputter-Augerelektronenspektroskopie (AES) und Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) charakterisiert.