Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
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DS: Dünne Schichten
DS 33: Postersitzung
DS 33.22: Poster
Dienstag, 23. März 1999, 09:30–17:30, Aula
Einfluß der Depositionsparameter auf die elektronischen Eigenschaften von gesputterten W- und W/a-Si:H-Multischichten — •Hans-Martin Latuske, F. Klabunde, M. Löhmann und T. Drüsedau — Institut für Exp. Physik, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg
Die elektronischen Transporteigenschaften von W- und W/a-Si:H- Schichten wurden von 16K bis 300K untersucht. Durch Variation von Ar-Druck und Substrattemperatur bei der Sputter-Deposition wurden der Übergang W3O zu W und die Dichte der W-Schichten gesteuert. W-Schichten von 80nm Dicke zeigen eine exponentielle Abhängigkeit der elektrischen Leitfähigkeit von der Dichte (bezogen auf einkristallines W). Mit den Parametern für die Abscheidung von W mit Dichten von ≥ 95% wurden a-Si:H/W/a-Si:H Schichtsysteme deponiert. Die Dicke der a-Si:H Lagen betrug 20nm, die Lagendicke des eingebetteten Wolframs wurde zwischen nominell 0,1nm und 1,5nm variiert. Bei W-Lagendicken unterhalb von 0,5nm ist eine temperaturabhängige Leitfähigkeit gemäß σ(T) ∝ exp(−(T0/T))x zu beobachten. Für W-Lagendicken oberhalb von 0,5nm ergibt sich: σ(T)∝ Tx. Die Beschreibung der Leitfähigkeit als Funktion der Lagendicke (Namba und Sondheimer) ergibt für W einen spez. Widerstand von ρ∞= 1,4*10−4Ωcm, eine freie Weglänge von l∞=0,57nm und eine Rauhigkeit der W-Si-Grenzflächen von 0,2nm.