Münster 1999 – scientific programme
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DS: Dünne Schichten
DS 33: Postersitzung
DS 33.26: Poster
Tuesday, March 23, 1999, 09:30–17:30, Aula
Mechanische Spannungen in Phasenwechselmedien — •P. Franz1, I. Friedrich1, W. Njoroge2, V. Weidenhof1 und M. Wuttig2 — 1Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik, Forschungszentrum Jülich GmbH. — 2I. Physikalisches Institut A, RWTH Aachen
Phasenwechselmedien zeichnen sich mit ihren optischen Eigenschaften
(großer Reflektivitätsunterschied zwischen amorpher und
kristalliner Phase) als vielversprechende Materialien für optische
Speicheranwendungen aus. Allerdings ist die Lebensdauer (Zahl der
Schreib-Löschzyklen) solcher Datenträger begrenzt. Ursache dafür
ist unter anderem die Dichte-änderung von ca. 6-9 Prozent , die beim
Übergang von der amorphen zur kristallinen Phase stattfindet. Dies
führt zu mechanischen Spannungen. Um diese Probleme besser zu
verstehen und Lösungsansätze zu erarbeiten, wird die
Phasenumwandlung der Schichten und der Einflußauf mechanische und
strukturelle Eigenschaften analysiert.
Dazu werden 5-80 nm dünne
Ge2Te5Sb2 - Schichten auf Si- oder Glas-Wafer gesputtert. Werden
diese Schichten getempert, so kristallisieren die Schichten. Die damit
verbundene Dichteänderung wird in Abhängigkeit von den
Sputterparametern und der Heiztemperatur mit Röntgenreflekto-metrie
(XRR) vermessen. Desweiteren werden die inneren Spannungen direkt aus
der Halbwertsbreite der Reflexe der Röntgenbeugung (XRD) bestimmt.
Ziel ist es, die mechanischen Spannungen genauer zu charakterisieren
und in Beziehung zu den Dichteänderungen zu setzen.