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DS: Dünne Schichten

DS 33: Postersitzung

DS 33.32: Poster

Dienstag, 23. März 1999, 09:30–17:30, Aula

Charakterisierung der minimalen Schreib- und Löschzeiten des Phasenmechselmediums Ge₂Te₅Sb₂ — •S. Ziegler¹, V. Weidenhof¹, S.-J. You¹, I. Friedrich¹ und M. Wuttig² — ¹Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik, Forschungszentrum JülichGmbH. — ²I. Physikalisches Institut A, RWTH Aachen

Phasenwechselmedien auf der Basis von ternären Tellurlegierungen können bei Zimmertemperatur in der amorphen und kristallinen Phase stabilisiert werden. Beide Phasen unterscheiden sich deutlich in ihren optischen Eigenschaften und können durch kurze Laserpulse unterschiedlicher Dauer und Intensität ineinander überführt werden. Um den Erfolg solcher Datenträger zu sichern, müssen allerdings die Geschwindigkeiten mit der einzelne Bits geschrieben oder gelöscht werden, erhöht werden. Dazu wurde ein Meßplatz eingesetzt, der es erlaubt, Bits mit variabler Laserleistung und Pulsdauer zu schreiben bzw. zu löschen. Dabei zeigt sich, daß die Rekristallisation der geschwindigkeitsbestimmende Schritt ist. Während zum Schreiben (Amorphisieren) Pulsdauern von weniger als 10 ns ausreichen, benötigt das Löschen (Rekristallisieren) jedoch um eine Größenordnung längere Pulse, wenn man den gleichen Kontrast erreichen will. Außerdem wurde festgestellt, daß die hergestellten amorphen Schichten andere Umwandlungsverhalten zeigen, als Stellen, die durch einen vorausgegangenen Laserpuls geringer Leistung in einen relaxierten Zustand überführt worden sind.