Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 33: Postersitzung

DS 33.42: Poster

Dienstag, 23. März 1999, 09:30–17:30, Aula

Transporteigenschaften von gesputterten halbleitenden β−FeSi₂-Schichten — •H. Grießmann, D. Elefant, J. Schumann und A. Heinrich — Institut für Festkörper- und Werkstofforschung Dresden, Postfach 270016, 01171 Dresden

Halbleitende β−FeSi₂-Schichten stehen seit längerer Zeit im Mittelpunkt des Interesses hinsichtlich ihrer Anwendungsmöglichkeit in thermoelektrischen Sensoren und Modulen. Für die Ausschöpfung der Leistungsfähigkeit dieses Materiales bedarf es jedoch noch einer deutlichen Verbesserung des Verständnisses der Wechselbeziehung zwischen Schichtabscheidung und funktionellen Eigenschaften. Es werden Untersuchungen an gesputterten Schichten vorgestellt, wobei der Einfluß von Zusammensetzung und Reinheit des Targetmateriales, der Substratart und der Wärmebehandlung auf die Struktur- und Phasenausbildung und die Transporteigenschaften Widerstand und Thermokraft aufgeklärt wird. Es werden Angaben zum Zusammenhang zwischen dem Leitfähigkeitstyp und der Art und Konzentration der metallischen Dotanden gemacht. Bandlücke und Anregungsenergien werden abgeschätzt. Aus Hallmessungen wird die Ladungsträgerdichte und Beweglichkeit abgeleitet. Rechnungen auf der Basis eines einfachen Bandmodelles in Relaxations-zeitnäherung werden zur Interpretation der experimentellen Daten herangezogen.