Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 33: Postersitzung

DS 33.45: Poster

Dienstag, 23. März 1999, 09:30–17:30, Aula

Einfluß von Si0₂ auf die Silicidreaktion von Co/Ti Doppelschichten mit Si(100) — •Heiko Hortenbach, Meiken Falke, Dilip Kumar Sarkar, Gunter Beddies, Steffen Teichert und Hans-Jürgen Hinneberg — TU-Chemnitz, Institut für Physik, 09107 Chemnitz

Silicidschichten auf Si(100) mit atomar glatter Silicid-Silicium Grenzfläche erlangen für mikroelektronische Anwendungen zunehmende Bedeutung. Ein mit herkömmlichen Si-Technologie kompatibles Verfahren zur Herstellung epitaktischer Silicidschichten ist die Festphasenreaktion metallischer Doppelschichten (Co/Ti) mit Si(100) während einer Kurzzeittemperung. Es wurde der Einfluß ultradünner (0 bis 3nm) SiO₂-Schichten zwischen der Metalldoppelschicht und dem Si-Substrat auf das CoSi₂-Wachstum in Abhängigkeit von der Dicke der Oxidschicht, der Dicke der Metallschicht sowie den Temperbedingungen untersucht. Die Charakterisierung der Proben erfolgte mittels TEM, XRD und RBS sowie elektrischer Messungen.