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DS: Dünne Schichten
DS 33: Postersitzung
DS 33.46: Poster
Dienstag, 23. März 1999, 09:30–17:30, Aula
Herstellung und Untersuchung von MnSi1,73 in Si (001) — •Stefan Schwendler, Dilip Kumar Sarkar, Henning Giesler, Meiken Falke, Steffen Teichert und Hans-Jürgen Hinneberg — Institut für Physik, TU Chemnitz, 09107 Chemnitz, Germany
Epitaktische Silicide, die sich durch ihre Kompatibilität zur Si-Technologie auszeichnen, werden im Zusammenhang mit mikroelektronischen, photovoltaischen oder thermoelektrischen Anwendungen diskutiert. Bisher standen die Disilicide von Co, Fe und Ni im Mittelpunkt der Untersuchungen. Nach Zur et al. [1] ist MnSi1,73 aufgrund der geringen Gitterfehlanpassung ein weiteres aussichtsreiches Silicid für ein epitaktisches Wachstum auf Si. In diesem Beitrag wurde das Verfahren der Allotaxie [2] zur Herstellung epitaktischer Schichten für das System Mn-Si verwendet. Bei der Probenpräparation unter UHV-Bedingungen wurden die Abscheidetemperatur und die Abscheideraten bei sonst konstant gehaltenen Bedingungen variiert. Nach der Abscheidung wurden die Proben unterschiedlichen Temperprozessen unterzogen. Die Analyse erfolgte mittels Rutherford Rückstreuung (RBS) und elektrischer Messungen. Ergänzend wurden die Proben mit Röntgendiffraktometrie und Elektronenmikroskopie charakterisiert.
[1] A. Zur, T. C. Mc Gill und M.A. Nicolet, J. Appl. Phys.
57 (1985) 600.
S. Mantl, H. L. Bay, Appl. Phys. Lett. 62 (1992) 267.