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DS: Dünne Schichten

DS 33: Postersitzung

DS 33.4: Poster

Dienstag, 23. März 1999, 09:30–17:30, Aula

Winkelaufgelöste elastische Lichtstreuung zur Morphologiebestimmung von In auf GaAs(001) — •M Bastian, A.M. Frisch, K. Hinrichs, N. Esser und W. Richter — Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin

Winkelaufgelöste elastische Lichtstreuung (ARS) wurde zur Untersuchung von Metalladsorbaten auf Halbleiteroberflächen verwendet. Es wurden GaAs(001)-Oberflächen mit In-Bedeckungen verschiedener Dicke mit und ohne Sb als Surfactant im UHV hergestellt. Sie weisen eine präparationsabhängige Morphologie auf, die mit ARS untersucht wurde: Die Intensitätsverteilung des elastisch in den Halbraum gestreuten Lichtes wurde mittels eines Diodenarrays winkelaufgelöst aufgenommen. Sie sind für die verschiedenen Oberflächen sowohl von den In-Inselgrössen als auch von deren Form abhängig. Aus den ARS-Daten wurden rms-Rauhigkeiten sowie die Korrelationslängen (die den Inselbreiten entsprechen) berechnet und mit AFM-Aufnahmen verglichen, anhand derer zugleich die aus dem Streulichtprofil gewonnenen qualitativen Aussagen über die Inselhöhe und -form überprüft wurden.