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DS: Dünne Schichten

DS 33: Postersitzung

DS 33.5: Poster

Dienstag, 23. März 1999, 09:30–17:30, Aula

Charakterisierung ultradünner Schichten mittels XPS im Bereich externer Totalreflexion — •Th. Eickhoff¹, W. Drube² und G. Materlik² — ¹II. Inst. f. Exp. Phys, Universität Hamburg — ²HASYLAB/DESY, 22603 Hamburg

Die hochenergetische Photoemission mit Synchroton-Röntgenstrahlung variabler Energie (3–6 keV) ermöglicht eine tiefenselektive Anregung schneller Elektronen durch die Bildung einer stehenden Welle im Bereich externer Totalreflexion an Oberflächen. Auf diese Weise können tiefenabhängige Messungen der elektronischen Eigenschaften oberflächennaher, d.h. vergrabener wie auch adsorbierter Schichten durchgeführt werden. Dabei bietet die Photoemission gegenüber der verwandten Methode der Fluoreszensspektroskopie unter streifendem Einfall den Vorteil hoher Energieauflösung (typisch 0.5 eV) und der Detektierbarkeit leichter Elemente.

Es werden Untersuchungen an vergrabenen Monoschichten in Halbleitern und an adsorbierten selbst-anordnenden organischen Monoschichten (SAMs) vorgestellt, die das Potential der Methode aufzeigen.